CY7C1312KV18-300BZXC Infineon Technologies Memoria

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo de memoria: Volatile
Formato de memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Synchronous, QDR II
Tamaño de la memoria: 18Mbit
Organización de la memoria: 1M x 18
Interfaz de memoria: Parallel
Frecuencia de reloj: 300 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página: -
Voltaje - Suministro: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento: 0°C~70°C(TA)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 165-LBGA
Paquete de dispositivo del proveedor: 165-FBGA (13x15)
Número de producto base: CY7C1312