MT57W512H36JF-6 Micron Technology Inc. Memoria

Fabricante: Micron Technology Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de memoria: Volatile
Formato de memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Synchronous, DDR II
Tamaño de la memoria: 18Mbit
Organización de la memoria: 512K x 36
Interfaz de memoria: HSTL
Frecuencia de reloj: 167 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página: -
Tiempo de acceso: 500 ps
Voltaje - Suministro: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento: 0°C~70°C(TA)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 165-TBGA
Paquete de dispositivo del proveedor: 165-FBGA (13x15)