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CY10E484-4DC Cypress Semiconductor Corp Memoria

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Cypress Semiconductor Corp
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de memoria: Volatile
Formato de memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Asynchronous
Tamaño de la memoria: 16Kbit
Organización de la memoria: 4K x 4
Interfaz de memoria: Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página: 4ns
Tiempo de acceso: 4 ns
Voltaje - Suministro: 4.94V ~ 5.46V
Temperatura de funcionamiento: 0°C~75°C(TA)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: 28-CDIP (0.400\ 10.16mm)
Paquete de dispositivo del proveedor: 28-CDIP
Número de producto base: CY10E484

Datasheet

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