MT54V512H18AF-7.5 Micron Technology Inc. Memoria

Fabricante: Micron Technology Inc.
Serie: QDR®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de memoria: Volatile
Formato de memoria: SRAM
Tecnología: SRAM - Synchronous
Tamaño de la memoria: 9Mbit
Organización de la memoria: 512K x 18
Interfaz de memoria: HSTL
Frecuencia de reloj: 133 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página: -
Tiempo de acceso: 3 ns
Voltaje - Suministro: 2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento: -20°C~110°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 165-TBGA
Paquete de dispositivo del proveedor: 165-FBGA (13x15)