menú

R1RW0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics America Inc Memoria

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
en stock:
modelo: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Solicitar una cotización

Descripción de sus requisitos

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo de memoria: Volatile
Formato de memoria: SRAM
Tecnología: SRAM
Tamaño de la memoria: 4Mbit
Organización de la memoria: 256K x 16
Interfaz de memoria: Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página: 12ns
Tiempo de acceso: 12 ns
Voltaje - Suministro: 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento: -40°C~85°C(TA)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 44-TSOP (0.400\ 10.16mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 44-TSOP II
Número de producto base: R1RW0416

Datasheet

Cancelar enviar
Publicar reseña
Publicar primera reseña
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}